Výrobca Číslo produktu:
TSM60NB900CH C5G
Product Overview
Výrobca:
Taiwan Semiconductor Corporation
Číslo dielu:
TSM60NB900CH C5G-DG
Popis:
MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO251
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 36.8W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventár:
55 Ks Nové Originálne Na Sklade
12898526
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TSM60NB900CH C5G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Taiwan Semiconductor
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
900mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
9.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
315 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
36.8W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-251 (IPAK)
Balenie / puzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Základné číslo produktu
TSM60
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
75
Iné mená
TSM60NB900CH C5G-DG
TSM60NB900CHC5G
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STU6N60M2
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4
ČÍSLO DIELU
STU6N60M2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.46
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
TSM60NB900CH
VÝROBCA
Taiwan Semiconductor Corporation
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
TSM60NB900CH-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.10
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TSM070NB04CR RLG
MOSFET N-CH 40V 15A/75A 8PDFN
TSM2NB65CH X0G
MOSFET N-CHANNEL 650V 2A TO251
DMN4035LQ-7
MOSFET N-CH 40V 4.6A SOT23
